Родина Анна Валерьевна

Место работы: Физико-Технический Институт (ФТИ) им. А.Ф. Иоффе РАН, лаб. Спиновых и оптических явлений в  полупроводниках

Должность: главный научный сотрудник

Место жительства: Санкт-Петербург

Научные достижения: Автор более 95 публикаций в ведущих зарубежных и отечественных журналах и коллективных монографиях. Основные результаты состоят в развитии теории примесных центров, экситонов и экситонно-примесных комплексов в кубических и гексагональных полупроводниках; в развитии метода обобщенных граничных условий в применении многозонного приближения эффективной массы для наноструктур с резкими границами; в исследовании оптических и спиновых явлений в полупроводниковых нанокристаллах,  теоретическом предсказании и описании магнитных свойств немагнитных нанокристаллов, обусловленных взаимодействием экситонов с поверхностью.

Член диссертационного совета по физике конденсированного состояния Д 002.205.01 при ФТИ им. А.Ф. Иоффе. Приглашенный профессор Университета ИТМО (физический факультет).

Премии и награды:

Премии на конкурсе лучших работ ФТИ им. А.Ф. Иоффе в 2003, 2014, 2015, 2019 и 2020 годах.

Ссылка на личную Internet-страницу: https://www.researchgate.net/profile/Anna-Rodina