Информационный портал профессоров РАН

Мы в

Наверх

Терещенко Олег Евгеньевич

Место работы: Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН

Должность: Заведующий лабораторией физики и технологии гетероструктур

Место жительства: Новосибирск

Научные достижения: Специалист в области физики полупроводников и низкоразмерных систем, автор и соавтор 125 научных работ, из них 2 патента. Основные научные результаты:

  • впервые создан встроенный p-n переход в топологическом изоляторе Bi2Te3;
  • создан новый тип фотоэмиссионного солнечного элемента на основе полупроводникового катода с отрицательным электронным сродством;
  • реализован низкотемпературный метод атомно-слоевого («цифрового») травления полярных граней соединений А3В5;
  • разработан универсальный метод контролируемого изменения физико-химических свойств поверхностей, заключающийся в управлении составом и сверхструктурами на поверхностях полупроводников А3В5 без использования молекулярных пучков, что, в частности, позволило значительно повысить квантовую эффективность фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством;
  • создан новый тип спин-детектора на основе гетероструктур ферромагнетик/ полупроводник с квантовыми ямами (точками), позволяющий измерять поляризацию свободных электронов методом катодолюминесценции с пространственным разрешением;
  • установлена высокая степень спиновой поляризации в поверхностных топологических состояниях при переходе через точку Дирака в соединениях Bi2(TeхSe1-х)3, что может быть использовано при создании спин-зависимых устройств на основе транзисторных структур;
  • создан графеноподобный монослой висмута с энергетической щелью в дираковском спектре.

Эксперт РФФИ, эксперт РНФ.

Ссылка на личную Internet-страницу: https://nsu.ru/rs/person/2615